半导体和光电子行业生产中，纯净氨气（NH₃）作为氮化硅（Si₃N₄）、氮化镓（GaN）等薄膜材料化学气相沉积（CVD）工艺的重要氮源被广泛使用。依据国家标准GB/T 14601—2009《电子工业用气体氨》，氨产品分为电子级与光电子级两类，两者技术指标有明显不同，这体现了不同用途对气体纯净度的不同要求。

电子级氨的纯净度标准是至少达到99.9995%（按体积算），其他成分如氧气、氮气、一氧化碳以及碳链长度在1到3之间的烃类，其存在量都要小于1百万分之一点零几，水分含量也需控制在3百万分之以下，所有杂质加起来的总量不能超过5百万分之几。这种级别的氨气适合用于普通半导体产品的生产，例如在制造CMOS芯片时，给钝化层加上材料、形成氧化硅氮化膜等步骤，虽然对气体纯净度有很高要求，但可以接受极微量的不纯物质。

光电子级氨意味着要求极为严格，纯度必须达到99.99994%以上，各种杂质含量都有明确限制，含氧量（包括氩气）、含氢量、含一氧化碳量、含烃类量均要小于0.1 ppm，含二氧化碳量也要小于0.1 ppm，含水量则要低于0.2 ppm，所有杂质总和不能超过0.6 ppm。该项准则还界定了十九种金属成分，包括锑、镉、镓、锂、钠等，在气态及液态环境中的高允许量，其中锂、钾、镓这几种金属成分，其含量必须维持在每亿份中低于一仟份以下。

这两种氨的适用范围清晰界定，前者专用于常规半导体制作流程，后者则服务于对金属杂质特别挑剔的高科技产业，诸如高亮度发光二极管、激光二极管以及大功率半导体等制造环节。碱金属成分，包括锂离子、钠离子和钾离子，在电场中容易发生移动，从而造成设备漏电现象加剧和阈值电压发生偏移；而重金属成分，比如铜和镍，则可能产生深能级缺陷，进而干扰电荷载体的使用寿命。

因此，挑选恰当档次的氨气，既是节省开支的需要，也是保障成品合格度和持久稳定性的核心要素。制造厂商须按照工艺特点，严谨依照规范里的分析手段和评估标准，来维持气体品质始终如一，不受影响。